Sistema de medición del efecto Hall a alta temperatura CMT-1000H

El sistema de medición del efecto Hall de alta temperatura CMT-1000H está diseñado para la investigación de semiconductores y materiales a altas temperaturas. Integra electroimanes de alta precisión, fuentes de corriente constante, gausímetros, controladores de temperatura y software inteligente para ofrecer mediciones exactas del efecto Hall y de la resistividad.

El sistema admite mediciones automatizadas de tensión Hall, resistividad, movilidad y concentración de portadores con temperatura y campo magnético variables. Su cámara de vacío de alta temperatura y procesamiento automatizado de datos ofrecen una plataforma fiable para investigar materiales avanzados.

• Medición del efecto Hall totalmente automatizada con procesamiento de datos en un clic
• Capacidad de medición a alta temperatura: hasta 773 K (opcional)
• Fuente de corriente constante y medición precisa de tensión para ensayos Hall
• Compatible con una amplia variedad de materiales semiconductores y conductores
• Trazado en tiempo real de curvas I-V, I-R y de parámetros Hall
• Fuente de corriente constante de cuatro cuadrantes con conmutación suave al cruzar por cero
• Diseño de campo uniforme para estabilidad a largo plazo
• Gaussímetro y adquisición de datos integrados para control y análisis precisos

• Materiales semiconductores: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe, materiales de ferrita
• Materiales de baja impedancia: grafeno, metales, óxidos transparentes, semiconductores débilmente magnéticos y materiales TMR
• Materiales de alta resistencia: GaAs semi aislante, GaN, CdTe

• Cálculos automatizados del efecto Hall y resistividad
• Trazado de curvas en tiempo real: tendencias I-V, I-R, R-T y del coeficiente Hall
• Medición continua a intervalos de temperatura fijos
• Comunicación de datos con gaussímetro, fuente y controlador de temperatura
• Datos exportables para análisis e informes

• Diámetro del polo: 100 mm
• Campo magnético máximo: 20,000 Gs (separación de 10 mm), 13,000 Gs (20 mm), 10,000 Gs (30 mm)
• Uniformidad: ±1% (diámetro de 10 mm con separación de 60 mm)
• Peso: 110 kg (incluidos soporte y ruedas)

• Salida: ±10 A / ±80 V, 800 W
• Cruce por cero e inversión suaves sin conmutación
• Funcionamiento en cuatro cuadrantes (adecuado para cargas inductivas)
• Velocidad de cambio de corriente: 0.0007 – 0.3 F.S./s
• Estabilidad: ±25 ppm/h (estándar), ±5 ppm/h (alta estabilidad)
• Exactitud: ±(0.01% del valor ajustado + 1 mA)
• Resolución: 20-bit (p. ej., 0.03 mA a 15 A)
• Rizado (RMS): <1 mA

• Exactitud: ±0.30% de la lectura
• Intervalo: 0–3 T, resolución 0.01 mT
• Sonda: grosor de 1.0 mm, longitud de 100 mm
• Interfaz RS-232, suministrado con sonda GP3
• Portasondas de aluminio no magnético ajustable (5–70 mm)
• Útiles de portamuestras personalizables

• Cámara de vacío: 293 K – 470 K
• Controlador TESK301 (65 K – 600 K)
• Bomba de vacío K25

• Rango de corriente: ±50 nA – ±50 mA, resolución 0.1 nA
• Intervalo de tensión: 0.1 μV – 30 V, precisión 0.01%
• Tarjeta integrada de conversión de matriz de ensayo
• Kits de contactos óhmicos (personalizables según el material)