Sistema automatizado de medición del efecto Hall
Este sistema automatizado de efecto Hall mide concentración de portadores, movilidad, resistividad y coeficiente Hall con precisión de microsonda y microscopía HDTV.
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CMT-100 ofrece mediciones precisas del efecto Hall con componentes avanzados para analizar materiales semiconductores.
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El sistema de medición del efecto Hall de alta precisión CMT-100 está diseñado para medir con exactitud parámetros eléctricos clave de los materiales semiconductores, como la concentración de portadores, la movilidad, la resistividad y el coeficiente Hall. Estos parámetros son fundamentales para evaluar el comportamiento eléctrico de dispositivos y materiales semiconductores, por lo que el sistema de medición del efecto Hall constituye una herramienta esencial para la investigación avanzada de semiconductores, la caracterización de dispositivos y los estudios de ciencia de materiales.
Este sistema proporciona datos precisos y fiables para apoyar el desarrollo, el control de calidad y el análisis del rendimiento de diversas aplicaciones semiconductoras.

El SourceMeter de sistema CMT-320, desarrollado específicamente para el sistema de medición del efecto Hall CMT-100, integra una fuente de corriente constante de alta estabilidad, un microvoltímetro de bajo ruido y un relé de conmutación multicanal en una unidad compacta. Este diseño integrado simplifica significativamente el cableado y el funcionamiento de los experimentos, garantizando mediciones estables y precisas.
El SourceMeter CMT-320 también puede utilizarse de forma independiente como fuente de corriente constante y microvoltímetro, lo que ofrece flexibilidad para una amplia variedad de necesidades de prueba.

| Parámetros físicos | Concentración de portadores | 10³cm⁻³ - 10²³cm⁻³ |
| Movilidad | 0 .1 cm²/ volt*sec - 10⁸cm²/ volt*sec | |
| Rango de resistividad | 10⁻⁷ Ohm*cm - 10¹² Ohm*cm | |
| Tensión Hall | 1 uV - 3V | |
| Coeficiente Hall | 10⁻⁵ - 10²⁷cm³/ C | |
| Tipos de materiales que se pueden ensayar | Material semiconductor | SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe y materiales de ferrita, etc. |
| material de baja resistencia | Grafeno, metales, óxidos transparentes, materiales semiconductores débilmente magnéticos, materiales TMR, etc. | |
| material de alta resistencia | GaAs, GaN, CdTe, etc., semi aislantes | |
| Partículas conductoras de materiales | Ensayos de materiales de tipo P y tipo N | |
| Entorno de campo magnético | Tipo de imán | Electroimán variable |
| Magnitud del campo magnético | 1900mT (la separación entre polos es de 10mm) | |
| 1300mT (distancia entre polos de 20mm) | ||
| 900mT (distancia entre polos de 30mm) | ||
| 800mT (separación de polos de 40mm) | ||
| 600mT (la separación entre polos es de 50mm) | ||
| Área uniforme: 1% | Resolución mínima: 0.1Gs | |
| Entorno magnético opcional | El electroimán con el tamaño magnético pertinente puede personalizarse según las necesidades del cliente | |
| Parámetros eléctricos | Fuente de corriente | 50.00nA- 50.00mA |
| Resolución de la fuente de corriente | 0.0001uA | |
| Tensión de medición | 0 ~ ±3V | |
| Resolución de medición de tensión | 0.0001 mV | |
| Otros accesorios | Protección contra la luz | Los elementos externos de protección contra la luz estabilizan el material de ensayo |
| Tamaño de la muestra | normal 10mm * 10mm | |
| Máximo 16mm * 16mm | ||
| Armario de caja | 600*600*1000mm | |
| Probeta | Muestras estándar y datos de ensayo del efecto Hall del Instituto de Semiconductores de la Academia China de Ciencias: 1 juego | |
| (Si, Ge, GaAs, lnSb) | ||
| Creación de contactos óhmicos | Soldador eléctrico, lámina de indio, soldadura, hilo esmaltado, etc. | |
| Medición automática con un solo botón sin intervención manual una vez iniciado el ensayo | ||
| El software permite realizar curvas I-V y BV | ||
| Configuración en software de la medición automática de temperatura | ||
| Se miden los resultados experimentales y los datos se guardan temporalmente en el software. Si se necesita almacenamiento a largo plazo, pueden exportarse a una tabla EXCEL para facilitar el procesamiento posterior. | ||
| Se proporcionan muestras y datos estándar de ensayo del efecto Hall del Instituto de Semiconductores de la Academia China de Ciencias: 1 conjunto | ||

| Modelo del sistema | Zona de temperatura de ensayo | Indicadores de ensayo del sistema |
| Sistema de ensayo del efecto Hall a alta y baja temperatura CMT-100 | 80K ~ 500K (alta y baja temperatura, ajuste de temperatura 0.1K) | Resolución mínima: 0.1GS Corriente de muestra: 0.05uA~50mA (ajuste 0.1nA) Campo magnético: 2T con separación de 10mm; 1T con separación de 30mm Intervalo de resistividad: 10-5~107 Ohm*cm Concentración de portadores: 103~1023cm-3 Movilidad: 0.1~108cm2/volt*sec Intervalo de resistencia: 10m Ohms~6MOhms |
| Sistema de ensayo del efecto Hall a alta temperatura DX-100H | 300K ~ 500K (alta temperatura, ajuste de temperatura 0.1K) | |
| Sistema de ensayo del efecto Hall a baja temperatura CMT-100L | 80K ~ 300K (baja temperatura, ajuste de temperatura 0.1K) | |
| Sistema de ensayo del efecto Hall a baja temperatura CMT-200L | 4K ~ 300K (baja temperatura, ajuste de temperatura 0.1K) | |
| Sistema de ensayo del efecto Hall a alta y baja temperatura CMT-500 | 80K ~ 800K (alta y baja temperatura, ajuste de temperatura 0.1K) | |
| Sistema de ensayo del efecto Hall a alta temperatura CMT-500H | 300 K ~ 800 K (alta temperatura, ajuste de temperatura 0.1K) |
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