Sistema de ensayo del efecto Hall a baja temperatura CMT-1000L

El sistema de ensayo del efecto Hall a baja temperatura CMT-1000L está diseñado para medir con precisión las propiedades eléctricas de los semiconductores en condiciones de baja temperatura. Mide parámetros esenciales como la concentración de portadores, la movilidad, la resistividad y el coeficiente Hall, aportando información fundamental sobre el comportamiento de los semiconductores.

Con adquisición y análisis automatizados de datos, el sistema simplifica procedimientos complejos y garantiza resultados fiables. Es una plataforma indispensable para investigadores de dispositivos semiconductores y propiedades de transporte de materiales.

• Cálculo automatizado de concentración de portadores, movilidad, resistividad, coeficiente Hall y magnetorresistencia
• CMT-320 Effector integrado que combina fuente de corriente constante, microvoltímetro de alta resolución y relé de conmutación para mediciones Hall eficientes
• Amplios intervalos de medición de resistividad, resistencia y concentración de portadores
• Control de temperatura mediante criostato para aplicaciones de baja temperatura
• Medición totalmente automatizada con un botón
• Visualización y exportación de datos para procesamiento posterior en EXCEL

• Materiales semiconductores: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe, materiales de ferrita
• Materiales de baja impedancia: grafeno, metales, óxidos transparentes, semiconductores débilmente magnéticos y materiales TMR
• Materiales de alta resistencia: GaAs semi aislante, GaN, CdTe

• Proceso de medición automático con un botón
• Control de corriente de muestra, intensidad del campo y entorno de temperatura
• Estabilización rápida de temperatura (≈1 minuto) antes de medir
• Cálculo en tiempo real de parámetros Hall y resistividad
• Trazado de curvas y exportación EXCEL para análisis posterior

• Diámetro del polo: 100 mm
• Campo magnético máx.: 20,000 Gs con entrehierro de 10 mm, 13,000 Gs con entrehierro de 20 mm, 10,000 Gs con entrehierro de 30 mm
• Área uniforme: diámetro de 10 mm a separación de 60 mm, uniformidad ±1%
• Peso: 110 kg (incluidos soporte y ruedas)

• Salida: ±10 A / ±80 V, 800 W
• Paso suave por cero sin conmutación mediante interruptores
• Operación en cuatro cuadrantes, adecuada para cargas inductivas
• Ajuste de la velocidad de cambio de corriente: 0.0007 – 0.3 F.S./s
• Estabilidad: ±25 ppm/h (estándar), ±5 ppm/h (alta estabilidad)
• Exactitud: ±(0.01% del valor ajustado + 1 mA)
• Resolución: 20-bit (p. ej., 0.03 mA a 15 A)
• Rizado (RMS): <1 mA

• Exactitud: ±0.30% de la lectura
• Intervalo: 0 – 3 T, resolución: 0.01 mT
• Sonda: grosor de 1.0 mm, longitud de 100 mm
• Interfaz RS-232 con sonda GP3
• Portasondas de aluminio no magnético ajustable (5–70 mm)

• Intervalo de temperatura: 80 K – 293 K
• Controlador de termostato DX301 (65 K – 600 K)
• Bomba de vacío K25

• Rango de corriente: ±50 nA – ±50 mA, resolución 0.1 nA
• Medición de tensión: 0.1 μV – 30 V, exactitud 0.01%
• Tarjeta integrada de conversión de matriz de ensayo
• Kits de contactos óhmicos personalizables para distintos materiales