CMT-1000H Высокотемпературная система измерения эффекта Холла

Высокотемпературная система измерения эффекта Холла CMT-1000H предназначена для исследования полупроводников и материалов при высоких температурах. Она объединяет высокоточные электромагниты, источники постоянного тока, гауссметры, температурные контроллеры и интеллектуальное программное обеспечение для точного измерения эффекта Холла и удельного сопротивления.

Система поддерживает автоматические измерения напряжения Холла, удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей при переменных температуре и магнитном поле. Высокотемпературная вакуумная камера и автоматическая обработка данных обеспечивают надёжную платформу для исследований передовых материалов.

• Полностью автоматизированное измерение эффекта Холла с обработкой данных одним нажатием
• Высокотемпературные измерения: до 773 K (опция)
• Источник постоянного тока и точное измерение напряжения для испытаний Холла
• Совместимость с широким спектром полупроводниковых и проводящих материалов
• Построение кривых I-V, I-R и параметров Холла в реальном времени
• Четырёхквадрантный источник постоянного тока с плавным переключением при переходе через ноль
• Конструкция однородного поля для долговременной стабильности
• Интегрированные гауссметр и сбор данных для точного управления и анализа

• Полупроводниковые материалы: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe, ферритовые материалы
• Низкоимпедансные материалы: графен, металлы, прозрачные оксиды, слабомагнитные полупроводники, материалы TMR
• Высокоомные материалы: полуизолирующие GaAs, GaN, CdTe

• Автоматический расчёт эффекта Холла и удельного сопротивления
• Построение кривых в реальном времени: I-V, I-R, R-T и изменения коэффициента Холла
• Непрерывные измерения через заданные интервалы температуры
• Обмен данными с гауссметром, источником питания и контроллером температуры
• Экспортируемые данные для анализа и отчетности

• Диаметр полюса: 100 mm
• Максимальное магнитное поле: 20,000 Gs (расстояние 10 mm), 13,000 Gs (20 mm), 10,000 Gs (30 mm)
• Однородность: ±1% (диаметр 10 mm при расстоянии 60 mm)
• Масса: 110 kg (включая кронштейн и колёса)

• Выход: ±10 A / ±80 V, 800 W
• Плавный переход через ноль и реверс без переключения
• Работа в четырёх квадрантах (для индуктивных нагрузок)
• Скорость изменения тока: 0.0007 – 0.3 F.S./s
• Стабильность: ±25 ppm/h (стандарт), ±5 ppm/h (высокая стабильность)
• Точность: ±(0.01% заданного значения + 1 mA)
• Разрешение: 20-bit (например, 0.03 mA при 15 A)
• Пульсации (RMS): <1 mA

• Точность: ±0.30% показания
• Диапазон: 0–3 T, разрешение 0.01 mT
• Зонд: толщина 1.0 mm, длина 100 mm
• Интерфейс RS-232, поставляется с датчиком GP3
• Регулируемый немагнитный алюминиевый держатель зонда (5–70 mm)
• Индивидуальные приспособления держателя образцов

• Вакуумная камера: 293 K – 470 K
• Контроллер TESK301 (65 K – 600 K)
• Вакуумный насос K25

• Диапазон тока: ±50 nA – ±50 mA, разрешение 0.1 nA
• Диапазон напряжения: 0.1 μV – 30 V, точность 0.01%
• Встроенная плата преобразования испытательной матрицы
• Комплекты омических контактов (адаптируемые к материалу)