CMT-1000H 고온 홀 효과 측정 시스템

CMT-1000H 고온 홀 효과 측정 시스템은 고온 반도체 및 재료 연구를 위해 설계되었습니다. 고정밀 전자석, 정전류원, 가우스미터, 온도 컨트롤러 및 지능형 소프트웨어를 통합하여 홀 효과와 비저항을 정확하게 측정합니다.

가변 온도 및 자기장 조건에서 홀 전압, 비저항, 이동도 및 캐리어 농도 자동 측정을 지원합니다. 고온 진공 챔버와 자동 데이터 처리로 첨단 재료 연구를 위한 신뢰성 높은 플랫폼을 제공합니다.

• 원클릭 데이터 처리를 갖춘 완전 자동 홀 효과 측정
• 고온 측정 기능: 최대 773 K(선택 사양)
• 홀 시험용 정전류원 및 정밀 전압 측정
• 다양한 반도체 및 전도성 재료와 호환
• I-V, I-R 및 홀 매개변수 곡선의 실시간 표시
• 부드러운 영점 교차 전환 기능의 4사분면 정전류 전원 공급기
• 장기 안정성을 위한 균일 자기장 설계
• 정밀 제어 및 분석을 위한 가우스미터와 데이터 수집 통합

• 반도체 재료: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe, 페라이트 재료
• 저임피던스 재료: 그래핀, 금속, 투명 산화물, 약자성 반도체, TMR 재료
• 고저항 재료: 반절연성 GaAs, GaN, CdTe

• 홀 효과 및 비저항 자동 계산
• 실시간 곡선 표시: I-V, I-R, R-T 및 홀 계수 변화
• 고정 온도 간격에서 연속 측정
• 가우스미터, 전원 공급기 및 온도 제어기와 데이터 통신
• 분석 및 보고용 데이터 내보내기

• 자극 직경: 100 mm
• 최대 자기장: 20,000 Gs (10 mm 간격), 13,000 Gs (20 mm 간격), 10,000 Gs (30 mm 간격)
• 균일성: ±1% (60 mm 간격에서 직경 10 mm)
• 중량: 110 kg (브래킷 및 바퀴 포함)

• 출력: ±10 A / ±80 V, 800 W
• 전환 없는 부드러운 영점 통과 및 반전
• 4사분면 작동(유도성 부하에 적합)
• 전류 변화율: 0.0007 – 0.3 F.S./s
• 안정성: ±25 ppm/h(표준), ±5 ppm/h(고안정성)
• 정확도: ±(설정값의 0.01% + 1 mA)
• 분해능: 20-bit (예: 15 A에서 0.03 mA)
• 리플 (RMS): <1 mA

• 정확도: 판독값의 ±0.30%
• 범위: 0–3 T, 분해능 0.01 mT
• 프로브: 두께 1.0 mm, 길이 100 mm
• RS-232 인터페이스, GP3 프로브 제공
• 조절 가능한 비자성 알루미늄 프로브 홀더(5–70 mm)
• 맞춤화 가능한 시료 홀더 지그

• 진공 챔버: 293 K – 470 K
• TESK301 제어기 (65 K – 600 K)
• K25 진공 펌프

• 전류 범위: ±50 nA – ±50 mA, 분해능 0.1 nA
• 전압 범위: 0.1 μV – 30 V, 정확도 0.01%
• 내장 시험 매트릭스 변환 카드
• 오믹 접촉 키트(재료별 맞춤화 가능)