CMT-1000T Система измерения эффекта Холла при высоких и низких температурах

Name: CMT-1000T Система измерения эффекта Холла при высоких и низких температурах
Brand: Vectomag

CMT-1000T позволяет измерять эффект Холла при высоких и низких температурах, объединяя магнит, гауссметр, сосуд Дьюара и точное управление температурой.

Запросить предложение ↗ Посмотреть характеристики ↓

CMT-1000T Dual-Temperature Hall Effect Test System

1. Обзор продукта

Система измерения эффекта Холла при двух температурах CMT-1000T представляет собой полностью интегрированную платформу для углублённого исследования характеристик полупроводников. Она объединяет высокоточные электрические приборы, электромагниты, системы управления температурой и интеллектуальное программное обеспечение для измерения ключевых параметров, таких как концентрация носителей заряда, подвижность, удельное сопротивление и коэффициент Холла.

Автоматический сбор данных и построение кривых упрощают сложные экспериментальные процедуры и обеспечивают точность, делая систему незаменимой для исследований полупроводников и оценки свойств материалов.

2. Основные особенности

Интегрированный CMT-320 Effector: источник постоянного тока, микровольтметр с 6½ разрядами и переключающее реле для измерений Холла
Возможность измерения концентрации носителей, подвижности, удельного сопротивления и коэффициента Холла
Автоматизированный расчёт результатов эксперимента, включая объёмную и поверхностную концентрацию носителей, холловскую подвижность и коэффициент Холла, удельное сопротивление и магнитосопротивление
Широкий спектр испытуемых материалов: полупроводники, металлы, оксиды, графен и высокоомные соединения
Измерение кривых I-V и I-R при изменяющихся магнитных полях и температурах
Полностью автоматизированные измерения одной клавишей с возможностью непрерывных измерений
Долговременно стабильное поле с управлением однородностью

3. Технические характеристики

Магнитное поле: 2T (зазор 10 mm), 1T (зазор 30 mm)
Ток образца: 0.05 μA – 50 mA, регулируемый (разрешение 0.1 nA)
Измеряемое напряжение: 0.1 μV – 30 V
Диапазон удельного сопротивления: 1×10⁻⁷ – 1×10¹² Ω·cm
Диапазон сопротивления: 10 mΩ – 6 MΩ
Концентрация носителей заряда: 10³ – 10²³ cm⁻³
Подвижность: 0.1 – 1×10⁸ cm²/V·s
Диапазон температуры: 77 K – 470 K, разрешение регулировки 0.1 K
Минимальное разрешение: 0.1 GS
Автоматическое измерение: температурные зависимости коэффициента Холла и концентрации носителей
Выходные кривые: I-V, I-R, R-T и магнитосопротивление

4. Испытуемые образцы и применения

Полупроводниковые материалы: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe, ферритовые материалы
Низкоимпедансные материалы: графен, металлы, прозрачные оксиды, слабомагнитные полупроводники, материалы TMR
Высокоомные материалы: полуизолирующие GaAs, GaN, CdTe

6. Функции программного обеспечения

Автоматический расчёт параметров Холла и удельного сопротивления
Построение кривых I-V, I-R, R-T и R-H в реальном времени
Возможность непрерывного измерения при фиксированной температуре или поле
Функции экспорта данных для дальнейшего анализа и отчётности

Основные компоненты

Высокоточный электромагнит. Диаметр полюса: 100 mm. Максимальное поле: 20,000 Gs (зазор 10 mm), 13,000 Gs (зазор 20 mm), 10,000 Gs (зазор 30 mm). Однородная область: диаметр 10 mm при расстоянии 60 mm, однородность ±1%. Масса: 210 kg (с кронштейном и колёсами)
Высокоточный биполярный источник постоянного тока Выход: ±10 A / ±80 V, 800 W Четырехквадрантная работа для индуктивных нагрузок Переход через ноль без переключения Стабильность: ±25 ppm/h (стандартная), ±5 ppm/h (высокая) Разрешение: 20-bit (например, 0.03 mA при 15 A)
Высокоточный гауссметр Точность: ±0.30% показания Диапазон: 0–3 T, разрешение: 0.01 mT Толщина зонда: 1.0 mm, длина: 100 mm Интерфейс RS-232, зонд GP3 включен Немагнитный алюминиевый держатель зонда, регулировка 5–70 mm
Термостат высоких и низких температур Диапазон: 80 K – 470 K Контроллер TESTIK301 (65 K – 600 K) Вакуумный насос K25
Источник постоянного тока и испытательный стол. Диапазон тока: ±50 nA – ±50 mA, разрешение 0.1 nA. Диапазон напряжения: 0.1 μV – 30 V, точность 0.01%. Встроенная плата преобразования испытательной матрицы. Комплект омических контактов (настраивается под материал)