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Vectomag

Sistema de ensayo del efecto Hall a alta y baja temperatura CMT-1000T

CMT-1000T permite ensayos del efecto Hall a altas y bajas temperaturas, integrando imán, gaussímetro, Dewar y control preciso de temperatura.

CMT-1000T Dual-Temperature Hall Effect Test System Ver imagen completa

1. Descripción del producto

El sistema de prueba del efecto Hall a dos temperaturas CMT-1000T es una plataforma totalmente integrada para la caracterización avanzada de semiconductores. Combina instrumentos eléctricos de alta precisión, electroimanes, sistemas de control de temperatura y software inteligente para medir parámetros clave, como la concentración de portadores, la movilidad, la resistividad y el coeficiente Hall.

Con adquisición de datos y trazado de curvas automatizados, el sistema simplifica procedimientos experimentales complejos y garantiza precisión, siendo una herramienta indispensable para investigar semiconductores y evaluar propiedades de materiales.

2. Características principales

  • CMT-320 Effector integrado: fuente de corriente constante, microvoltímetro de 6½ dígitos y relé de conmutación para mediciones Hall
  • Permite medir la concentración de portadores, la movilidad, la resistividad y el coeficiente Hall
  • Cálculo automatizado de resultados experimentales, incluidos: concentración de portadores volumétrica y de hoja, movilidad Hall y coeficiente Hall, resistividad y magnetorresistencia
  • Amplia variedad de materiales ensayables: semiconductores, metales, óxidos, grafeno y compuestos de alta resistencia
  • Mediciones de curvas I-V e I-R bajo campos magnéticos y temperaturas variables
  • Ensayos totalmente automatizados con una tecla y capacidad de medición continua
  • Campo estable a largo plazo con control de uniformidad

3. Especificaciones técnicas

  • Campo magnético: 2T (entrehierro de 10 mm), 1T (entrehierro de 30 mm)
  • Corriente de muestra: 0.05 μA – 50 mA, ajustable (resolución de 0.1 nA)
  • Tensión de medición: 0.1 μV – 30 V
  • Intervalo de resistividad: 1×10⁻⁷ – 1×10¹² Ω·cm
  • Rango de resistencia: 10 mΩ – 6 MΩ
  • Concentración de portadores: 10³ – 10²³ cm⁻³
  • Movilidad: 0.1 – 1×10⁸ cm²/V·s
  • Rango de temperatura: 77 K – 470 K, resolución de ajuste 0.1 K
  • Resolución mínima: 0.1 GS
  • Medición automática: curvas del coeficiente Hall y concentración de portadores frente a temperatura
  • Curvas de salida: I-V, I-R, R-T y magnetorresistencia

4. Muestras y aplicaciones ensayables

  • Materiales semiconductores: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe, materiales de ferrita
  • Materiales de baja impedancia: grafeno, metales, óxidos transparentes, semiconductores débilmente magnéticos y materiales TMR
  • Materiales de alta resistencia: GaAs semi aislante, GaN, CdTe

6. Funciones del software

  • Cálculo automático de parámetros Hall y resistividad
  • Trazado en tiempo real de curvas I-V, I-R, R-T y R-H
  • Medición continua a temperatura o campo magnético fijos
  • Funciones de exportación de datos para análisis e informes posteriores

Componentes principales

  • Electroimán de alta precisión. Diámetro de polos: 100 mm. Campo máximo: 20,000 Gs (entrehierro de 10 mm), 13,000 Gs (20 mm), 10,000 Gs (30 mm). Área uniforme: diámetro de 10 mm con separación de 60 mm, uniformidad ±1%. Peso: 210 kg (con soporte y ruedas)
  • Fuente bipolar de corriente constante de alta precisión Salida: ±10 A / ±80 V, 800 W Operación en cuatro cuadrantes para cargas inductivas Cruce por cero sin conmutación Estabilidad: ±25 ppm/h (estándar), ±5 ppm/h (alta estabilidad) Resolución: 20-bit (p. ej., 0.03 mA a 15 A)
  • Gaussímetro de alta precisión Exactitud: ±0.30% de la lectura Rango: 0–3 T, resolución: 0.01 mT Espesor de sonda: 1.0 mm, longitud: 100 mm Interfaz RS-232, sonda GP3 incluida Portasondas de aluminio no magnético, ajustable 5–70 mm
  • Termostato de alta y baja temperatura Intervalo: 80 K – 470 K Controlador TESTIK301 (65 K – 600 K) Bomba de vacío K25
  • Fuente de corriente constante y mesa de ensayos. Intervalo de corriente: ±50 nA – ±50 mA, resolución 0.1 nA. Intervalo de tensión: 0.1 μV – 30 V, exactitud 0.01%. Tarjeta integrada de conversión de matriz de ensayos. Kit de contactos óhmicos (personalizable según el material)

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