Получение кристаллических материалов
Печь выращивания кристаллов карбида кремния (SiC)
Печь выращивания кристаллов SiC использует индукционный нагрев и физический перенос пара (PVT) для сублимации порошка SiC и выращивания высокочистых 6-дюймовых...
Посмотреть продукт