Vectomag

Печь выращивания кристаллов карбида кремния (SiC)

Печь выращивания кристаллов SiC использует индукционный нагрев и физический перенос пара (PVT) для сублимации порошка SiC и выращивания высокочистых 6-дюймовых кристаллов карбида кремния.

Silicon Carbide (SiC) Crystal Growth Furnace Открыть изображение

Технический запрос

Обсудите ваши требования.

Свяжитесь с нами для уточнения характеристик и комплектации. Укажите прибор, диапазон измерений, размеры и требования к интерфейсу.

Запросить характеристики

Стоимость и наличие

Запросите предложение на Печь выращивания кристаллов карбида кремния (SiC).

Укажите прибор, диапазон измерений, размеры и требования к интерфейсу. Укажите количество и место доставки.

Запросить предложение ↗