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Horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC)

Este horno de crecimiento de cristales SiC utiliza calentamiento por inducción y transporte físico de vapor (PVT) para sublimar polvo SiC y crecer cristales de carburo de silicio de alta pureza de 6 pulgadas.

Silicon Carbide (SiC) Crystal Growth Furnace Ver imagen completa

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