Прибор измерения эффекта Керра на уровне пластин

Name: Прибор измерения эффекта Керра на уровне пластин
Brand: Vectomag

Система использует полярный MOKE для неразрушающего анализа магнитных свойств многослойных структур на пластинах до и после формирования рисунка, с возможностью измерений по всему полю.

Запросить предложение ↗ Посмотреть характеристики ↓

Wafer-Level Kerr Effect Measurement Instrument

1. Обзор продукта

Прибор для измерения эффекта Керра на уровне пластины обеспечивает мощные возможности создания вертикального магнитного поля и поля в плоскости для передовой магнитной характеризации на уровне пластины.

Магнитные поля: до 2.5 T по вертикали и 1.3 T в плоскости, что позволяет точно перемагничивать свободный, опорный и закреплённый слои в плёночных структурах MRAM с перпендикулярной анизотропией.
Сверхвысокая чувствительность детектирования эффекта Керра: одновременная характеризация слабых магнитных изменений в нескольких слоях плёнки.
Сочетая поточечное лазерное детектирование со сканирующей визуализацией, система быстро формирует карты магнитных свойств всей пластины, помогая оптимизировать технологический процесс и контролировать выход годных изделий.

Результаты измерения петель гистерезиса конъюнктивальной магнитной туннельной структуры с перпендикулярной анизотропией

Диаграмма распределения характеристик коэрцитивного поля пластины 8-inch с перпендикулярной магнитной анизотропией

2. Основные особенности

Поддержка пластин размером до 12 дюймов с полной совместимостью с меньшими размерами и испытанием фрагментов.
Высокополевые возможности: максимальное вертикальное поле ±2.5 T при разрешении 1 μT.
Чувствительность детектирования поворота Керра лучше 0.3 mdeg (RMS), что идеально подходит для характеризации многослойных плёночных структур.
Точное позиционирование образца: точность повторного позиционирования лучше ±1 μm; статический джиттер ≤ ±0.25 μm.
Гибкие режимы сканирования: отдельная точка, массив, кольцевое расположение или пользовательские списки позиций.
Возможность ручной загрузки или полностью автоматизированной работы в условиях НИОКР и производства.

3. Технические характеристики

3. Технические характеристики
Parameter	Value
Максимальное вертикальное магнитное поле	±2.5 T
Максимальное магнитное поле в плоскости	1.3 T
Разрешение по магнитному полю	1 μT
Чувствительность к вращению Керра	≤ 0.3 mdeg (RMS)
Максимальный размер пластины	12-inch (совместимость с меньшими размерами)
Точность позиционирования	±1 μm
Статический джиттер	≤ ±0.25 μm

4. Испытуемые образцы и применения

Структуры MRAM с вертикальной анизотропией и массивы устройств
Дисковые носители перпендикулярной магнитной записи (PMR)
Многослойные плёночные структуры для магнитных датчиков
Магнитные испытания фрагментов или целых пластин

Области применения:

Измерение петель гистерезиса на уровне пластины
Оптимизация процессов и контроль качества
Извлечение магнитных параметров отдельных слоёв (Hc, Hex, Ms)

5. Конфигурация системы

Столик для пластин с прецизионным выравниванием
Высокополевой электромагнит (вертикальное и плоскостное поля)
Сверхчувствительный модуль детектирования эффекта Керра
Интегрированная система лазерного сканирования и визуализации
Блок автоматизированного позиционирования и управления движением

6. Функции программного обеспечения

Получение и обработка данных в реальном времени
Автоматическое извлечение петель гистерезиса свободного и закреплённого слоёв
Картирование и визуализация магнитных свойств на уровне пластины
Предустановленные и настраиваемые схемы сканирования (одна точка, массив, кольцо)
Функции экспорта для интеграции с базами данных НИОКР и производства

7. Информация для заказа

Модель: Прибор для измерения эффекта Керра на уровне пластины
Стандартные компоненты: Столик для пластин, электромагнит, оптика Керра, модуль лазерного сканирования, программный пакет